参考书目

无定形和多晶体Ald HFO 2薄膜的纳米力学研究

作者：Taply，K，Jakes，J E，Gu，D和Baumgart，H

发布时间：2011年

网页链接：http://inderscience.metapress.com/index/r2v850p234j46856.pdf.

通过引入SiO 2抑制金属介电结晶用于金属浮栅存储器阻塞氧化物的层

作者：Jayanti，S和Misra，V

发布时间：2011年

网页链接：http://ieeexplore.ieee.org/xpls/abs_all.jsp?arnumber=6097681.

原子层沉积基ZnO膜的机械和结构特征

作者：Taply，K，Gu，D，Baumgart，H和Namkoong，G

发布时间：2011年

网页链接：http://iopscience.iop.org/0268-1242/26/11/11/115005

灵活稳定的解决方案加工有机场效应晶体管

作者：Hwang，D K，Fuentes-Hernandez，C和Kim，J B

发布时间：2011年

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ZrO2和Al2O3薄膜在GE（100）上由ALD种植：XPS调查

作者：Sygellou，L.，Gianneta，V和Xanthopoulos，n

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增强的运输和晶体管性能与氧化物播种高 - ？晶圆级外延石墨烯的栅极电介质

作者：霍尔丹，马太基J，Labella，迈克尔，休斯，Zachary R，朱，迈克尔，特拉伯尔，凯瑟琳A，Cavalero，兰德尔，斯奈德，大卫W，王，萧君，Hwang，Euichul，Datta，Suman和Robinson，约书亚A.

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使用由嵌段共聚物产生的氧化铝纳米粒子的选择性表面化学

作者：Stoltenberg，Randall M，Liu，Chong和Bao，Zhenan

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远程声子和表面粗糙度有限通用电子迁移率 _{0.53GA 0.47作为表面通道MOSFET}

作者：十四行诗，一个M，Galatage，R V，Hurley，P K和Pelucchi，E

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用氧化物种子高J栅极电介质在晶片级外延石墨烯上提高运输和晶体管性能

作者：汉兰德，M j，标签，m，hughes，z r和zhu，m

发布时间：2011年

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使用纹理ZnO膜的垂直对齐ZnO纳米棒的生长

作者：Sol�pp马尔，弗朗西斯科，Martřnez，Eduardo，Mel�ndrez，Manuel F和Přrez-Tijerina，Eduardo

发布时间：2011年

网页链接：http://www.nanoscalereslett.com/content/6/1/524