ALD优势

高度可控薄膜的ALD

• 膜厚度基于自限制，自组装行为，并具有纳米水平控制

• 多组分膜的化学计量控制

• 在非常大的区域可扩展的电影/过程

• 出色的可重复性

• 宽的过程窗口（关于温度或前体剂量变化）

• 低缺陷密度

• 取决于底物和温度的无定形或结晶膜类型

• 对多层涂层，异质结构，纳米胺，混合氧化物，分级索引层和掺杂的精细控制

• 可用于氧化物，氮化物，金属和半导体的标准食谱

CU2S/SNS2/ZNS三层沉积在硅沟中。CZST膜组成曲线通过不同的热退火后的SIMS分析。
参考：Thimsen等人，《材料化学》，24（16），3188-3196（2013）。doi：10.1021/cm3015463

高度可控薄膜的ALD

• 出色的保融性，100％台阶覆盖范围：均匀的涂层，在多孔内部和粒子样品周围

• 原子平坦和光滑的涂层，符合底物几何形状

ALD沉积在300：1 AAO纳米板（470：1 Final AR）的Li5.1TaoZ的共形li5.1taoz的共形沉积
参考：Liu，J。等，J。Phys。化学C 117，20260–20267（2013）。

挑战基材的ALD

• 敏感底物的温和沉积过程

• 低温沉积可能（RT-800°C）

• 低功率血浆处理（低至20-50W）功能

• 在聚合物，OLED和贵族金属表面上演示的涂料

• 由于第一层化学键而引起的优异粘附

• 由于分子自组装而引起的低压力

AL2O3 - ZRO2纳米胶质封装，室温下的水传输速率（WVTR）为5e-7g/m2/天 - 在80˚C时沉积在Savannah®中
参考：Meyer，J。等。（2009）。应用物理信，94（23），233305