III-V半导体设备

III-V半导体设备

VEECO/CNTFIJI®一直处于III-V设备最新进展的最前沿。这包括通过原子层外观（ALE）等III-V材料的沉积，设备质量三元化合物（如Alxga1-Xn和Inlxal1-Xn）的外在增长，缓冲层的沉积，以启用异性持续性和生长栅极介电和钝化层。

ALD启用III-V设备：外延生长，多组分膜，钝化层

设备质量ALN [2]，INN [1]和GAN [3]的外延生长最近在VEECO/CNTFIJI®中得到了证明。在下面的图1中，HRTEM和IFFT确认与A-Sapphire对齐的结晶旅馆。图2显示了在GAN上生长的ALN的高质量 - 摇摆曲线的FWHM对于37nm膜的FWHM为670 ARC SEC - 这与MBE（420 ARC SEC）生长的1.6μm相当。

高电子迁移率晶体管基于晶格匹配半导体之间界面处高迁移率2D电子气体的形成。表1显示了所有ALD HEMT装置（ALE GAN/ALEAN/ALD AL2O3）中低载体浓度和高迁移率，表明存在2D电子气体。此外，由于Ale-Aln的表面钝化，HEMT装置性能得到了改善[5]。杂化石墨烯/III-N异质结构已通过ALD的低温启用[6]，从而保留了石墨烯的表面功能。


图1：蓝宝石的旅馆[1]


图2：来自Aln/gan/a-Sapphire的峰[2]

III-V设备的ALD福利

  • 低沉积温度
  • 合金的易于生长，包括先前无法访问的阶段
  • 在纳米线等3D结构上沉积

表1：通过ALD/ALE的HEMT设备[4]

样本 μ（cm2/v-s） NS（CM-2）
Algan / Gan 1042 1.6 x 1012
al2o3/ al0.27GA0.73N / GAN 871 6.0 x 1011

参考 - 在VEECO CNT ALD平台上完成的最新出版物

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