过渡金属二甲化合物（TMD）包括形成金属二硫化物（MS2），金属二苯胺（MSE2）或金属二硝基脲（MTE2）的金属。在元素周期表上，绿色显示了最新研究中特别感兴趣的TMD材料。
申请
原子层沉积技术可用于直接或通过在ALD沉积后使用硫化退火来沉积薄膜硫化剂材料。ALD技术提供了独特的功能，可以以准确的材料组成和受控的膜厚度的形式将薄膜存放在三维特征上。
对于光伏，光子学，催化和能源储能应用，对过渡金属硫元化材料引起了明显的兴趣。特别令人感兴趣的是硫化酪岩材料。
沉积在CNT平台上的葡萄干化膜的示例
- ZnS - Zn（1-X）OXS - COS
- IN2S3 - PBS - SB2S3
- CU2S - CU2ZNSNS4
单连接效率限制
ALD硫化物吸收剂
参考：Dasgupta，N。P.等人，Account Chem Res 48，341–348（2015）。
甲状腺素化的光伏
原子层沉积技术可用于沉积薄膜硫化剂材料。
为吸收器材料探索了用于光伏应用的葡萄干化材料，在这些材料中，带镜头能量更适合实现更高水平的效率（1-1.6 eV时31 - 34％）。可以使用ALD技术（包括铜锡硫化物（CZTS））沉积第四纪膜。ALD沉积材料也可以用于制造的缓冲 /发射极材料（IN2S3，ZnS，CDS和Zn（O，S））。
能源储备
已经在储能和电池应用中研究了ALD沉积膜，其性能提高了。
- CU2S /碳纳米管（CNT）阴极 @260 mA H G-1
- li2s @ 800 mA H G-1
光子学
葡萄干化材料也已用于光子和太阳能应用中。
TFEL显示器的ZNS（第一个ALD工业应用）
CU2S / SNS2 / ZNS三层沉积在硅沟中
参考：Thimsen等。，材料化学，24（16），3188–3196（2012）
2D二甲植物
已经研究了二维二核化剂的独特材料特性，包括带隙半导性，光致发光和吸光度，因为膜厚度降低至一个单层厚度。原子层沉积提供了一种直接的方法来实现一个分子层厚膜。利用ALD和硫化退火或过渡金属二甲基元素（TMD）材料的直接生长方法，正在积极进行研究，以开发两步的过程。
TFEL显示器的ZNS（第一个ALD工业应用）
参考 - 在VEECO CNT ALD平台上完成的最新出版物
- Xu，J。等。吸收短波长红外光电传感器上吸收薄膜的原子层沉积。Appl Phys Lett 107，153105–5（2015）。
- 麦卡锡（R. F.J. Phys。化学Lett。（2015）。doi：10.1021/acs.jpclett.5b00935
- Baryshev，S。V.，Riha，S。C.＆Zinovev，A。V. Solar吸收器CU2ZNSNS4及其母体多层ZNS/SNS2/CU2S由原子层沉积合成，并通过X射线光电子光谱法进行了分析。冲浪。科学。Spectra 22，81–99（2015）。
- Riha，S。C.，Schaller，R。D.，Gosztola，D.J.，Wiederrecht，G。P.和Martinson，A。B. F. Cu 2s薄膜的光激发载体动力学。J. Phys。化学Lett。5，4055–4061（2014）。
- Sutherland，B。R。等。钙钛矿薄膜通过原子层沉积。高级材料N/A – N/A（2014）。doi：10.1002/adma.201403965
- 麦卡锡（R. F.ACS Appl Mater Inter 6，12137–12145（2014）。
- Riha，S。C.等。一次稳定光伏一个原子层的Cu 2s。ACS Appl Mater Inter 131010083550003（2013）。doi：10.1021/am403225e
- Thimsen，E。等。通过原子层沉积合成的金属 - 硫化纳米层中的界面和组成曲线。Chem Mater 25，313–319（2013）。
- Thimsen，E。等。五核酸硫化葡萄糖2znsns的原子层沉积4. Chem Mater 24，3188–3196（2012）。
- 杨，R。B。等。氧化硒化和硫化物纳米线的脉冲蒸气液生长。高级材料21，3170–3174（2009）。
- Dasgupta，N。P.，Walch，S。P.＆Prinz，F。通过原子层沉积来制造和表征硫化物薄膜。ECS交易16，29-36（2008）。
