尽管对5NM和3NM技术节点的追求仍在继续,但许多逻辑和记忆制造商正在将事物垂直以增加逻辑和记忆的密度。我们将与您合作,简化复杂的挑战。
使不可能成为可能
通过堆叠电路层或单元格制造3D晶体管和3D内存需要独特的专业知识和放大思维。它还需要旨在精确和准确性的右前端工艺工具。通过激烈的协作,我们可以为高性能,低功耗设备提供可持续的解决方案。
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我们的团队准备帮助
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