极端的超紫（EUV）光刻是一种快速增长的现实。由EUV启用的前所未有的纳米级设备只能通过Veeco技术进行极端光掩模精度。由于集成电路（IC）特征尺寸缩小，因此设计用于制造它们的设计。可以支持更精细的几何形状的制造光掩模要求革命思维。我们可以共同创造大批量生产解决方案。
复杂的模式
Photomasks从概念化中携带IC设计人员的愿景。收缩设备节点为图案化过程增加了挑战，从Photomask开始。通过故意协作，我们可以自定义我们的工具和系统以提供无缺陷的光掩模。
沉积系统
我们的团队已准备好帮忙
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