“肾上腺脑白质退化症”的研究

2018

• Lecordier, L.， Herregods, S. & Armini, S.在铜上气相沉积十八硫醇掩蔽层，使介质上的区域选择性Hf3N4原子层沉积通过原位椭偏光谱研究。真空科学与技术学报，真空表面与薄膜36031605 - 9(2018)。
• R. Bhatia，“ALD TiO2前驱体相关光学性质”，第十七届实习生。ALD conf.， 2018，仁川
• T. Walter, K. Cooley, A. Bertuch, S. Mohney，“衬底对等离子体增强原子层沉积MoS2的影响”，第十七届国际学术会议。ALD conf.， 2018，仁川
• G. Sundaram，“生命科学中的ALD”，EFDS ALD for Industry第二届研讨会，2018，德累斯顿

2017

• Liu, Luting, Ritwik Bhatia和Thomas J. Webster。纳米tio2薄膜的原子层沉积，增强了骨科植入物的生物相容性和抗菌活性。国际纳米医学杂志12(2017):8711。
• Sowa, Mark J.， Yonas Yemane, Jinsong Zhang, Johanna C. Palmstrom, Ling Ju, Nicholas C. Strandwitz, Fritz B. Prinz和J. Provine。等离子体增强超导氮化铌原子层沉积真空科学与技术学报A:真空，表面和薄膜35,no. 1。1 (2017): 01 b143。
• 贝尔图奇、亚当、布伦特·d·凯勒、尼古拉·法拉利斯、杰弗里·c·格罗斯曼和甘内什·桑达拉姆。用双(叔丁基咪唑)双(二甲胺)钼等离子体增强原子层沉积碳化钼和氮化钼真空科学与技术学报A:真空，表面和薄膜35,no. 1。1 (2017): 01 b141。
• 叶曼，Y. T.， M. J. Sowa, J. Zhang, L. Ju, E. W. Deguns, N. C. Strandwitz, F. B. Prinz和J. Provine。等离子体增强原子层沉积法制备的超导氮化铌钛薄膜超导体科学与技术30,no。9(2017): 095010。
• 竹内、Kazuma、Ezoe Yuichiro Ishikawa、Numazawa Masaki、Terada Masaru、Ishi Daiki、Fujitani Maiko、Mark J. Sowa、Takaya Ohashi和Kazuhisa Mitsuda。用于硅x射线微孔光学的铂热原子层沉积。应用光学57,no。12(2018): 3237 - 3243。
• Keller、Brent D、Adam Bertuch、J. Provine、Ganesh Sundaram、Nicola Ferralis和Jeffrey C. Grossman。原子层沉积氧化钼成核和大面积MoS2单分子层硫化的过程控制材料化学29号;5(2017): 2024 - 2032。
• M. Sowa，“使用TDMAV和N2等离子体的PEALD VN的机械、物理和电学性能”，AVS2017，奥兰多CA

2016

• Bertuch, A, Keller, b.d, Ferralis, N.， Grossman, J. C. & Sundaram, G.“等离子体增强原子层沉积碳化钼和氮化钼双(叔丁基limido)双(二甲胺)钼。”真空科学与技术学报a -真空表面与薄膜35,01 b141(2016)。
• 等离子体增强超导氮化铌原子层沉积"。真空科学与技术学报a -真空表面与薄膜35,01 b143(2016)。
• Sowa, m.j.， Yemane, Y.， Prinz, f.b.和Provine, J.“等离子体增强氮化钨原子层沉积”。真空科学与技术学报，真空表面与薄膜34,051516(2016)。
• L. Lecordier, S. Armini，“利用气相沉积SAMS在铜金属与SiO2上实现区域选择性ALD的新方法”，第16期实习。ALD大会，2016，都柏林-
• A. Bertuch, B. Keller, N. Ferralis, J.C. Grossman, G. Sundaram，“等离子体增强氮化钼原子层沉积”，第十六届国际学术会议。ALD大会，2016，都柏林-
• R. Bhatia，“控制Pt ALD薄膜的平滑度”，第16届实习生。ALD大会，2016，都柏林-
• M. Sowa，“等离子体增强NbN超导薄膜原子层沉积”，第十六届国际学术会议。ALD大会，2016，都柏林-
• B. Keller, A. Bertuch, F. Pinna, N. Ferralis, J. Provine, G. Sundara2，和J. Grossman，“二维二硫化钼来自ALD钼氧化物”，2016年MRS春季会议，凤凰®

2015

• B. Keller、A. Bertuch、N. Ferralis、J. Provine、J.C. Grossman和G. Sundaram，“二维二硫化物钼的生长、表征和应用”，第15期实习生。ALD会议，2015年，波特兰，手术室
• S. Warnat, C. Forbrigger, T. Hubbard, A. Bertuch和G. Sundaram，“水介质/海水中的热MEMS致动器操作:通过PolyMUMPs器件的原子层沉积后处理提高性能”，J. Vac。科学。抛光工艺。A 33,01a126 (2015)
• L. Lecordier, Y2O3和ytria稳定氧化锆的原子层沉积和原位表征，第228届ECS会议论文集，2015,Phoenix®AZ
• Sowa M. J.，等离子体增强氮化钨原子层沉积，第十五届实习生。ALD会议，2015年，波特兰，手术室
• C. Waldfried, W. Neff, i.k。Lin和R. Bhatia，“厚ALD Al2O3薄膜的热稳定性，第15届实习生。ALD会议，2015年，波特兰，手术室
• Jonathan McBee，“G程序员的计算机科学:依赖倒置原理”，LabView工艺会议，波士顿，MA, 2015

2014

• A. Bertuch, G. Sundaram, M. Saly, D. Mosher和R. Kanjolia，“使用双(叔丁基limido)双(二甲胺)钼的氧化钼原子层沉积”，J. Vac。科学。技术A，第32卷，第1期。2014
• Lecordier L.，等，基于原位的锂基多组分氧化物工艺优化，第14届实习。ALD会议，2014，日本京都
• 刘志强，刘志强，刘志强，等。等离子体增强原子层沉积反应器壁条件对自由基和离子基通量的影响。科学。科技，a32,01a106 (2014)，https://dx.doi.org/10.1116/1.4831896
• g .他。，L. Lecordier, “In-situ process optimization of multinary ALD films”, Belux Workshop, 2014 Belvaux, (Luxumbourg)

2013

• G. Sundaram *“原子层沉积与自组装分子”，年度IAP会议，佐治亚理工学院，亚特兰大，佐治亚，2013
• 网络研讨会:M. Sowa“如何利用原子层沉积扩展你的研究能力”，2013年5月。
• R. Bhatia, J. Provine，刘国强，“氧化剂和沉积温度对ALD氧化铁的影响”，第13期。ALD大会，2013，圣地亚哥，加州
• 张文华，“PEALD反应器壁条件对自由基和离子基质通量的影响”，第十三届国际学术会议。ALD大会，2013，圣地亚哥，加州
• A. Bertuch, G. Sundaram, M. Saly, D. Moser, R. Kanjolia“利用双(叔丁基limido)双(二甲胺)钼原子层沉积氧化钼”，第十三届国际学术会议。ALD大会，2013，圣地亚哥，加州
• G.孙达林，*“原子层沉积在能源相关应用中的应用”，第60届美国真空学会学术研讨会，湖南，2013
• 桑达拉姆、勒科迪埃。r·巴蒂亚，*“使用原子层沉积(ALD)和自组装单分子膜(sam)的气相表面功能化”，电化学学会国际会议，旧金山，加州，2013

2012

• G.M. Sundaram、L. Lecordier、M. Sershen、M. j . Dalberth、M. Ruffo、S. MagnerR. Bhatia, R. Coutu和J.S. Becker“原子层沉积的工业化(ALD): R2R应用的路径”，Flextech国际会议，凤凰®AZ, 2012
• L. Lecordier, M. Dalberth, M. Sershen, M. Ruffo, R. Coutu, G. Sundaram和J. Becker“用于高通量卷对卷应用的空间ALD系统的设计迭代和过程优化”，12日实习生。ALD大会，2012，德累斯顿，德国
• 郭柳，Eric W. Deguns, Ganesh Sundaram和Jill S. Becker”用原子层沉积法从氧化物和氮化物中制备Fe, Co和Ni共形薄膜”、Eric W. Deguns、Ganesh Sundaram和Jill S. Becker，第12届实习生。ALD大会，2012，德累斯顿，德国
• Ritwik Bhatia, Laurent Lecordier, Ganesh Sundaram“ALD薄膜生长的原位监测以评估自组装单层”，第12位实习生。ALD大会，2012，德累斯顿，德国
• L. Lecordier, R. Bhatia, M. Dalberth, G. Sundaram和J. Becker“原位QCM和光谱椭偏在热，等离子体ALD加工期间，第12实习生。ALD大会，2012，德累斯顿，德国
• R. Bhatia，“TFT器件中金属氧化物的原子层沉积”，semi icon West，旧金山，加州，2012
• 李志强，*“原子层沉积与自组装单分子膜的原理与应用”，硅酸盐学报，2012
• L. Lecordier，“自组装单分子膜”，国际微纳米工程会议，图卢兹，法国，2012
• M. Sowa，“PEALD反应器壁条件对自由基和离子底物通量的作用”，第59届国际美国真空学会研讨会，坦帕，FL, 2012
• L. Lecordier，“卷对卷ALD加工的进展”，第59届国际美国真空学会研讨会，坦帕，佛罗里达州，2012

2011

• 通用Sundaram出版社*”柔性和刚性基板的快速原子层沉积系统”，Flextech国际会议，Phoenix®AZ, 2012
• L. Lecordier等人“从高纵横比纳米尺度到卷对卷涂层原子层沉积原理及新兴应用综述”，L. Lecordier等人，AVS新英格兰会议，波士顿，马萨诸塞州，2011
• A. O’mahony等“原子层沉积制备高k栅极氧化物结构的结构和电学特性”，以色列真空学会国际会议，特拉维夫，以色列，2011
• M. Dalberth等，“Roll to Roll ALD:从原型到制造”，第11届实习生。ALD会议，2011年，剑桥，马萨诸塞州
• L. Lecordier等“快速气相表面功能化与杂化SAMs / ALD异质结构”，第11期。ALD会议，2011年，剑桥，马萨诸塞州
• 刘g .等，“利用三(二甲基氨基)硅烷和臭氧的热ALD高速生长SiO2”，第11届国际会议。ALD会议，2011年，剑桥，马萨诸塞州
• G.M.Sundaram出版社*”工业ALD系统:计算在设计中的作用”，第11届实习生。ALD会议，2011年，剑桥，马萨诸塞州
• 《一次一层地拍电影》，C&EN, 2011
• 通用Sundaram出版社*”原子层沉积的工业化:一种高速沉积的方法”，欧洲化学沉积，金塞尔，爱尔兰，2011
• 通用Sundaram出版社,*”快速ALD工艺在R2R应用中的进展”，Flextech纳米材料研讨会，亚特兰大，GA, 2011
• G. Liu等，“用三(二甲胺)铝和NH3原子层沉积AlN”，电化学学会国际会议，波士顿，MA, 2011
• G.M. Sundaram等*“ALD方法在滚到滚(R2R)应用中的进展”，国家纳米制造网络研讨会，波士顿，麻省理工，2011
• 通用桑达拉姆等*”原子层沉积的工业化:从设计到沉积”，第58届美国真空学会学术研讨会，纳什维尔，田纳西州，2011
• M.J. Sowa等，“al -， Hf-和zr -基ALD薄膜和纳米层压材料的弹性和水蒸气透过率”，第58届国际美国真空学会学术研讨会，2011

2010

• G. Liu, A. Bertuch, M. Sowa, Ritwik Bhatia, E. Deguns, M. Dalberth, G. Sundaram和Jill S. Becker，“低蒸汽压ALD前驱体的前驱体促进”，第10实习生。ALD会议，2010，首尔，韩国
• Sowa, M. J.等，“等离子体增强ALD制备低电阻率TiN的工艺条件的作用”，第10届实习生。ALD会议，2010，首尔，韩国
• g .《答:Bertuch，r·巴蒂亚，r . Coutu,m . Dalberth，大肠Deguns，g .刘，m·索,j·贝克尔，“大面积原子层沉积”，第218届ECS会议，原子层沉积应用第33卷，第2期，拉斯维加斯，2010年10月10-15日
• Brodie, A.等，“利用ALD: Al2O3/ZnO Ta2O5/Nb2O5制备具有目标可调谐电学性能的涂层”，《电工技术学报》，2010，电工技术。p . 101 - 110
• m . Dalberth，m·索，大肠Deguns，r·巴蒂亚，答:Bertuch，g .刘，g .他,j·贝克尔，“臭氧或氧等离子体沉积氧化铪的性能”，第218届电子科学会议，原子层沉积应用，2010年10月10-15日
• 与KLA合著的论文
• M. Sowa, G. Sundaram, E. Deguns, R. Bhatia, M. Dalberth, A. Bertuch, G. Liu, J. Becker，“PEALD系统等离子体源操作对衬底离子轰轰的作用及其对HfO2和TiN薄膜性能的影响”，第57届美国真空学会学术会议，阿尔布开克，2010
• Deguns, e.w.，“用于柔性电子器件的ALD薄膜:应用基础”。FlexTech趋势:来自世界的关于显示和柔性的新闻，印刷电子，2010。第6页7 - 11页。
• Deguns, e.w.，等人，“Nb2O5的稳定有机金属前体”，波罗的海ALD 2010和GerALD 2。2010:德国汉堡
• Deguns, E.W.等人，使用有机金属Nb前驱体的等离子体激活氮化铌ALD，《电子化学学报》，2010，电子化学学报。p . 177 - 182
• Sowa, m.j.等，“挑战ALD的极限”。陶瓷行业,2010年。160(5): 20页。
• Baxter, J.，“剑桥纳米技术解决ALD阀问题:一个案例研究”。气体与仪器仪表，2010。4(4)。

2009

• Sowa, M. J.，等，“新型商用ALD系统中远程等离子体源性能及其对薄膜沉积速率和性能的影响”，第9期实习生。ALD会议，2009年，加州蒙特雷
• Bhatia, R.等，“金属掺杂氧化锌的电学和光学性质”第九届原子层沉积国际会议。2009:蒙特雷，加州
• Dalberth, M.J.，等。“GaN纳米线谐振腔用于ALD薄膜力学和沉积性能的测试平台”，第九届国际原子层沉积会议。2009。蒙特利,
• Sundaram, g.m.等，“3D薄膜:非平面地形的ALD”。固体技术，2009。
• Ritwik Bhatia, Mark Dalberth, Ganesh Sundaram和Jill Becker，“掺杂ALD氧化锌的厚度和成分对电导率的影响”，2009年4月16日，旧金山，加州

2008

• 王志强，王志强，王志强，“*前沿原子层沉积的应用”，电子学报，16 (4):19-27,2008
• 李志强，李志强等，“印刷电子材料的相互作用”，《材料学会学术研讨会论文集》，2008

2007

• D.J. Monsma和J.S. Becker， *《Savannah®ALD Systems: Enabling Quick Results》，《ECS Transactions》，第11卷，第7期，2007年

*邀请