Veeco介绍了突破性MOCVD平台，以实现高效的基于GaN的功率设备

产品新闻|2014年11月20日

新推进电源GaN MOCVD系统预计将加速R＆D的过渡到GaN电力电子产品

Plainview，N.Y .-（Business Wire） - Veeco Instruments Inc.（纳斯达克：Veco）今天介绍了Propel™电源镓氮化物（GaN）金属有机化学气相沉积（MOCVD）系统，其中包括单晶片反应器技术，可用于出色的薄膜均匀性，产量和装置性能。这款新的200mm MOCVD系统和技术能够开发高效的GaN的电力电子设备，将加速业界从研发到高批量生产的过渡。

为了响应强大的消费者对电力电子设备的需求，氮化镓MOCVD正在推进新一代功率开关装置，其具有更高的效率，更小的形状因子和更低的装置重量。根据IHS的研究，GaN电力电子市场预计将以2014年至2020年的复合年增长率大于百分率，因为新设备适用于消费电子，太阳能和风电，电源，汽车等应用。

“领先的电力电子产品制造商目前正在从研发进入飞行员生产，开发和符合新颖的设备结构，重点是提高可靠性，产量和成本，”威尔科执行副总裁博士说。“作为GaN MOCVD设备的世界领先者，Propel系统是下一代电力电子设备的答案。”米勒补充道，“凭借其优越的设计，技术和性能，Propel是一个平台，将为客户和Veeco提供令人兴奋的未来增长机会。”

Propel MoCVD系统基于Veeco的行业领先的MOCVDTurbodisc®技术，具有长期活动运行和低粒子缺陷，可实现卓越的产量和灵活性。此外，专有的Symmheat^™技术推动均匀的热控制，以获得优异的厚度和组成均匀性。提供无缝晶片尺寸过渡，系统沉积在硅晶片上的高质量GaN外延层，其直径为6和8英寸。

“通过电力电子行业领导者的Beta测试表明，Propel系统非常适合具有优异粒子性能的学习快速循环，”Veeco Mocvd高级副总裁兼总经理Jim Jenson表示。“这种验证是客户的努力，因为他们为他们的产品路线图制定创新的流程和技术。正如我们在LED行业所证明的那样，Veeco的目标是帮助电力电子客户也提高设备效率，降低制造成本，最终进入大批量生产。“

关于Veeco Propel Power GaN单晶圆反应器MOCVD系统

Veeco的新推进Power GaM MOCVD系统专为电力电子行业而设计。具有单晶片200mm反应堆平台，能够加工六个和八英寸晶圆，系统沉积高质量的GaN薄膜，用于生产高效的电力电子设备。单晶圆反应器基于Veeco的领先TurboDisc®设计，具有突破性技术，包括新的ISoFlange™和SymmHeat™技术，可在整个晶片上提供均匀的层流和均匀的温度曲线。客户可以轻松从Veeco K465i和Maxbright系统转移到Propel Power GaN Mocvd平台的流程。

关于Veeco.

Veeco的工艺设备解决方案使得LED，柔性OLED显示器，太阳能电池，电力电子，硬盘驱动器，MEMS和无线芯片制造。我们是LED，MBE，离子束等先进薄膜工艺技术的市场领导者。我们的高性能系统推动了能源效率，消费电子和网络存储的创新，并让我们的客户最大限度地提高了生产率并实现了更低的所有权成本。有关我们公司，产品和全球服务和支持的信息，请访vw德赢手机客户端问www.theljp.com.。

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照片/多媒体画廊：http://www.businesswire.com/multimedia/home/20141120005270/cn/

资料来源：Veeco Instruments Inc.