产品新闻|2018年4月10日
在成功的Beta测试后，在半导体中选择行业的第一个单晶片簇平台
Plainview，N.Y.，2018年4月10日（Globe Newswire） - Veeco Instruments Inc.（纳斯达克：veco）今天宣布，在半导体（纳斯达克：ON）上订购了其Propel®大批量制造（HVM）氮化镓（GaN）金属有机化学气相沉积（MOCVD）系统。基于其成功的Beta评估Propel HVM工具，在半导体上订购了GaN电力电子制造的生产级推进系统。作为行业的第一个单晶圆集群平台，Propel GaN MOCVD系统专为数据中心中使用的高压电源管理设备而设计;汽车，信息和通信技术;防御;航空航天和配电系统，以及其他应用
“我们先前使用Veeco的K465i™GaN MOCVD系统推动我们调查我们的生产坡道的Propel HVM平台，”公司研发高级总监Marnix Tack表示，并在半导体开放创新。“测试结果表明，具有高均匀性和晶圆内和晶圆到晶圆可重复性的优越的设备性能，同时满足我们的六个和八英寸晶圆的所有权目标。因此，Propel HVM系统被证明是我们电力电子制造需求的最合适的平台。“
Propel HVM平台基于Veeco的创新单晶片系统，具有专有的IsoFlange™和SymmHeat™技术，可在整个晶片上提供均匀的层流和均匀的温度曲线。该系统可实现电力电子，激光二极管，RF器件和高级LED的生产，具有更高的性能和生产率，同时确保了非常低的所有权。
“Propel HVM平台在业界迅速获得牵引力，因为半导体等创新公司识别甘砂的益处，这将部分取代电力电子技术的当前硅技术，”高级副总裁博士“Veeco MoCVD运营总经理。“凭借其高度控制的掺杂，运行稳定性，卓越的晶圆均匀性，高生产率和正常运行时间，Propel HVM将我们的TurboDisc®平台的优势扩展到独特的单晶片架构。这些功能使寻求卓越的制造解决方案的客户，同时提供缩放到八英寸晶圆和扩展到RF等先进应用的路径。“
GaN是一种宽带隙半导体材料，具有优于常规技术的特定优点，例如砷化镓（GaAs）和碳化硅（SiC）。由于其在热行为，效率，体重和尺寸方面，短期内的短期内具有巨大潜力。根据市场研究公司艾尔·塞培，2016年甘电器设备业务价值1400万美元，并将其投资4.6亿美元至2022年，复合年增长率（CAGR）为79％。GaN基设备将在RF放大器，LED和高压应用中越来越多地使用，主要是由于它们在高频，功率密度和温度下操作的能力，具有提高的效率和线性。
Veeco正在讨论其创新的MOCVD和湿蚀刻系统在“5G：我们在哪里以及下一步？”本周在比利时布鲁塞尔的CS国际会议上追踪。MOCVD营销高级总监SOMIT Joshi正在向4月11日星期三，“通过创新的MOCVD和湿蚀刻工艺技术通过创新的MOCVD和湿蚀刻工艺技术启用GaN RF和Power Electronics”的会议，veeco团队也将接受2018年CS行业奖在会议期间举行的颁奖典礼上为其Genxcel™R＆D MBE系统创新。
关于半导体
在半导体（纳斯达克：ON）上推动节能创新，赋予客户能力减少全球能源使用。该公司是vw德赢手机客户端基于半导体解决方案的领先供应商，提供了全面的节能电源管理组合，模拟，传感器，逻辑，时序，连接，离散，SOC和定制设备。该公司的vw德赢手机客户端产品帮助工程师在汽车，通信，计算，消费者，工业，医疗，航空航天和国防应用中解决了他们独特的设计挑战。在半导体上，经营响应，可靠，世界级的供应链和质量计划，强大的合规和道德计划，以及北美，欧洲，欧洲和亚太地区的主要市场的制造设施，销售办事处和设计中心网络。vwin官方网站有关更多信息，请访问http://www.onsemi.com。
关于Veeco.
Veeco（纳斯达克：Veco）是一家创新半导体工艺设备的领先制造商。我们经过验证的MOCVD，光刻，激光退火，离子束和单晶片蚀刻和清洁技术在生产用于固态照明和显示器的LED方面以及高级半导体器件的制造中起作用的积分作用。凭借旨在最大限度地提高业绩，产量和所有权成本的设备，Veeco在所有这些送达市场中占据了技术领导职位。vwin官方网站要了解有关Veeco的创新设备和服务的更多信息，请访问www.theljp.com。
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