参考书目

染料敏化太阳能电池芯/壳电极的覆盖率分析

作者：Tien，Ta-Chang，Pan，Fu-Ming，Wang，Lih-Ping，Tsai，Feng-yu和林，Ching

发布时间：2010年

网页链接：http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/jp1023229

在由原子层沉积生长的Au /自组装单层/ Al2O3 / Au隧道结构的暴露边缘处形成的纳米孔电极

作者：胡，冰，姚，景园和后斯，布鲁斯j

发布时间：2010年

网页链接：http://scitation.aip.org/content/aip/journal/apl/97/20/10.1063/1.3514253.

用原子层沉积ZnO薄膜拉曼光谱

作者：Taply，K，Gu，D，Baumgart，H，Rigo，M和SEO，J

发布时间：2010年

网页链接：http://ecst.ecsdl.org/content/33/2/117.short.

通过原子层沉积制备的Al 2O 3 / N-GaN结构的电性能的工艺条件

作者：Hori，Yujin，Mizue，Chihoko和Hashizume，Tamotsu

发布时间：2010年

网页链接：http://jjap.jsap.jp/link?jjap/49/080201/

由X射线衍射研究的ALD ZnO的Frank Van der Merwe

作者：Taply，K，Gu，D和Baumgart，H

发布时间：2010年

网页链接：http://ma.ecsdl.org/content/ma2010-02/20/1443.short.

肖特基屏障SOI-MOSFET采用高K LA2O3 / ZRO2栅极电介质

作者：汉高，C，Abermann，S，抵抗，o，Pozzovivo，G，Klang，P，St�ger-plarach，M和Bertagnolli，E

发布时间：2010年

网页链接：http://dx.doi.org/10.1016/j.mee.2010.11.003

GE P-MOSFET具有缩放的ALD <公式甲型型=

作者：Henkel，C，Abermann，S和抵抗，o

发布时间：2010年

网页链接：http://ieeexplore.ieee.org/xpls/abs_all.jsp?arnumber=5610718.

ALD HFO2和ZnO薄膜的霍尔效应，DLT和CV表征

作者：Taply，K，Apparaju，S，Rozgonyi，G和Gu，D

发布时间：2010年

网页链接：http://ma.ecsdl.org/content/ma2010-02/22/1552.Short.

由原子层沉积生长的氧化锌 - 一种用于新型3D电子产品的材料

作者：Guziewicz，El？Bieta，Godlewski，Marek，Krajewski，Tomasz A，Wachnicki，？Ukaz，？Uka，Grzegorz，Domaga？A，Jaros？AW Z，Paszkowicz，Wojciech，Kowalski，Bogdan J，Witkowski，BART？OMIEJ S，DU？Y？SKA，ANNA和Sueocki，Andrzej

发布时间：2010年

网页链接：http://doi.wiley.com/10.1002/pssb.200983699.

非晶铟镓锌氧化锌薄膜晶体管，非易失性存储器和透明电子电路

作者：suresh，a

发布时间：2010年

网页链接：http://repository.lib.ncsu.edu/ir/handle/1840.16/6157