氧气,氮和氢气的Uni-灯射频源极源

优化电子和光电器件的生产


获得电子和光电材料的GaN生长的最佳条件,以及无与伦比的等离子体稳定性和再现性,具有Veeco的Uni-灯泡射频等离子体源。一体式PBN气体入口管和等离子体灯泡与双同轴RF线圈相结合,可提供优异的功率耦合和除热量。包括定制光圈板的几种设计选项可用于进一步增强性能。

气体等离子体是用于将高度稳定的源气体(例如N 2或H 2)转化为适合于MBE生长的更活跃原子和分子种类的有效工具。Veeco Uni-灯泡具有专利的一体式PBN气体入口管和等离子体灯泡,以消除灯泡周围的气体泄漏。得到的等离子体是高度稳定和可重复的,允许在没有源重新调整的情况下进行许多小时的运行时间。

可互换的孔径可用于不同的气体电导的配置,用于GaN的生长,混合AS / N材料,氮掺杂,氢气清洁和氢气辅助生长。出口孔设计使光束中的离子含量最小化,而活性中性物质(原子和分子)朝向基材。定制的高均匀性孔板可用于大多数商业MBE系统,使典型的均匀性为±1%。

  • 专利设计,该领域拥有225多个
  • 全PBN,无氧化物等离子体灯泡施工
  • 优化的出口孔径最小化离子含量并提供优异的薄膜均匀性
  • 优异的等离子体稳定性和再现性
  • 可用于GaN,混合氮化物,掺杂,氢清洗和氢气辅助生长的配置
  • AutoTuner选项可确保稳定的增长条件并优化电源效率

表现和福利

Veeco Uni-Bulb射频等离子体来源是世界上最受欢迎的MBE氮化物生长。它为氮化物生长提供了最佳条件,通过其记录 - 光电应用的记录结果证明。

这些包括:

  • 为1.32μm的Gainnas / Gaas Quantum Well Lasers记录低阈值电流(Tampere Technology,2001年)
  • 生产1.26μm的IngaAsn VCSELS兼容电信网络要求(Cielo Communications and Sandia National Laboratories,2001)
  • AlGaN / GaN二维电子气体结构的增长,以77K和51,700cm2 / vsec在13k(加利福尼亚大学,圣巴巴拉,1999年)
  • 来自AlGaN / GaN的PI-HEMTS显示出小的信号RF性能和直流击穿,作为门长的函数,与Movpe(康奈尔大学,1999)制造的最佳晶体管
  • 报告的GaN增长率高达2.6μm/ hr。(东京大学,1999)。最常见的是,该来源用于0.8-1.0μm/ hr范围内的GaN生长速率
  • 质谱研究表明,光束通量富含含有极低离子含量的亚料氮分子。亚稳定分子在GaN生长中表现出高掺入速率,并在高衬底温度下稳定生长速率(约700-750°C。)(1999年西弗吉尼亚大学)

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