获得低成本的手段，可以使用VEECO的低温气体源来引入无热裂缝，以进行分子束外延（MBE）系统。该源具有用于快速气体开关的大电导管和一个扩散器端板，可实现良好的生长均匀性。它是GAAS和NH3中碳掺杂的CBR4的理想气体，用于GAN生长，以及任何其他不需要热裂缝的气体。通过将一个安装法兰上的源与原子氢源或5CC掺杂剂源相结合，从而进一步增强了系统功能。

• 引入无热裂缝的气体
• III-VS中C掺杂的CBR4源
• 完整的CBR4气体处理系统可精确控制掺杂剂蒸发和掺入
• 现场超过50