实现具有Veeco的低温气体源的MBE系统等源气体的低成本介绍，如CBR4和NH3。该装置具有用于快速气体切换的大电导管和扩散器端板，具有良好的生长均匀性。它是在到达基板之前不需要热预破裂的源气体的理想选择。通过将该来源与原子氢源或锥形掺杂剂源相结合，通过将该来源与原子氢源或锥形掺杂源相结合来增强MBE过程的灵活性和产量。

• 在没有热预开裂的情况下引入气体
• 氮化物生长的氨源
• 有机金属材料的理想注射器
• 超过50个领域

MBE系统的Veeco低温气体源提供低成本的装置，以引入无热预裂纹的源气体。源具有用于快速气体切换的大电导管和扩散器端板，用于良好的生长均匀性。通过先进的助焊剂建模，端板孔图案定制到特定的MBE系统，以实现最佳性能。真空外部的带加热器，足以防止管中的气体冷凝的温度范围（<200℃）加热，但是不够高，以促进裂缝。

为了有效地利用MBE系统上的源端口，可以在具有原子氢源的单个安装法兰或锥形掺杂剂源上组合该源。对于这些组合来源，气体喷射器不包括单独的带加热器，而是通过源或氢气裂纹丝加热。

表现和福利

该源是这些应用的理想气体注射器：

• NH3用于GaN生长
• CBR4用于C掺杂
• 在到达基板之前，任何其他所需的源气体不需要热预破裂
• 优化光束通量，以使气体负荷最小化到具有良好均匀性的系统

MBE种植者使用各种活性氮源来沉积GaN和其他含氮化物材料。虽然在等离子体中必须在等离子体中激活高度稳定的N2源气体，但是即使没有热预裂解，NH3也足以使沉积的反应性。低温气体源是注射NH 3进入生长室的理想选择。电导管被加热（<200℃）以防止冷凝而不提供源气体的任何开裂。典型的基板温度在700-900℃的范围内足以使NH 3直接在基材上解离。