16CM高功率RF离子源

离子辅助电子束（IAD）或溅射沉积的性能引导件

Veeco宣布宣布16CM RF高功率（HP）离子源，横梁均匀性为120厘米的10％。它是用于无反应过程的理想选择，例如离子辅助电子束（IAD）或溅射沉积方法。

• 支持广泛的高功率呈现：200至1500EV和200至> 1000mA
• 惰性和氧化环境中可靠，均匀的操作
• 增加的功率和电流均匀性有助于改善包装密度和增加的氧化率
• 还增强了化学计量控制，有助于创造更平滑的薄膜
• 可用各种网格集 - 多个接口封装便于易于升级现有IAD系统的路径
• 对于溅射沉积，提供大量沉积速率
• 确保高薄膜质量和稳定的工艺操作