新闻|2018年11月08日
Plainview, N.Y., Nov. 8, 2018 — Veeco Instruments Inc. (Nasdaq: VECO) and ALLOS Semiconductors GmbH announced today the completion of another phase of their mutual effort to provide the industry with leading GaN-on-Silicon epiwafer technology for microLED production. The purpose of the companies’ most recent collaboration was to demonstrate the reproducibility of ALLOS’ 200 mm GaN-on-Si epiwafer technology on Veeco’s Propel® MOCVD reactor when producing epiwafers for many prominent global consumer electronics companies.
“要将微循环技术带入生产中，只需向单个度量呈现冠军值就不充分。“Veeco”复合半导体业务部长高级副总裁兼总经理PH.D，达到了具有极佳重复性和产量的每个晶圆的整套规范。“这种成功的联合努力重申了将Veeco的卓越MOCVD专业知识与Allos'GaN-On-Silicon Epiwafer技术结合起来的力量，为客户提供一种新颖，经过验证和可靠的方法来加速Micropread采用。”
分类和分配是实现传统LED的波长一致性的标准方法。但是微升沉的太小且众多才能被分类和垃圾;因此，外延沉积的均匀性更为危重。将微循环显示器的承诺变成大规模生产现实的最重要成功因素是实现极其良好的发射波长均匀性，这消除了测试和分类各个微液芯片的需要。根据申请和传统转移方法，行业的目标要求在EPIWAFER上+/- 1nm和+/- 4nm bin（min / max）之间。通过这一协作项目，Veeco和Allos进一步改善了具有标准偏差的临界波长均匀性，其标准偏差仅为0.85 nm，代表生产系统的行业。
“Veeco和Allos经过验证的晶片到晶片再现性，其平均波长标准偏差为1.21nm的所有晶片和+/- 0.5nm范围内的峰值波长。通过这些结果，我们对epiwafer的+/- 1nm bin目标进行了另一个重要的飞跃，“Allos首席执行官的CEO Burkhard Slischka说。“我们的技术已经在200毫米晶圆直径上提供，这使得能够使用低成本和高产硅系来用于微升压芯片生产。此外，我们有一个明确的路线图来启用300 mm。“
展示技术的创新者专注于微升压作为下一个重要的技术转变。据研究公司YoleDéveloppement，MicroLed Displays市场可能达到2025年的3.3亿个单位。这种乐观主义是通过微循环技术（10微米边缘长度）的承诺来推动的，这被认为是实现最终的关键推动因素显示器耗电量较低。然而，这种显示器的开发已经受到高质量成本和微循环传质技术的低产量和产量的阻碍。这项联合技术努力有效地解决了这些挑战，因为Veeco和Allos继续与客户合作，以进一步改进Gan-On-Si ePiwafer和微循环传统转移技术。
Veeco和Allos将于2018年11月12日在日本Kanazawa的氮化物半导体（IWN）的国际研讨会上展示其突破性成就的详细信息。
关于Veeco.
Veeco（纳斯达克：Veco）是一家创新半导体工艺设备的领先制造商。我们经过验证的MOCVD，光刻，激光退火，离子束和单晶片蚀刻和清洁技术在生产用于固态照明和显示器的LED方面以及高级半导体器件的制造中起作用的积分作用。凭借旨在最大限度地提高业绩，产量和所有权成本的设备，Veeco在所有这些送达市场中占据了技术领导职位。vwin官方网站了解有关Veeco的创新设备和服务，请访问www.theljp.com.。
关于Allos半导体
Allos是一家知识产权许可和技术工程公司，您可以帮助全球半导体行业的客户掌握甘尾科技并释放其优势。vw德赢手机客户端Allos正在为其技术专业知识和专利提供许可以及将技术转移到客户的MOCVD抗堆。此外，Allos还提供客户特定的解决方案，并为下一代Gan-on-Si开发挑战提供咨询服务。www.allos-semondonders.com.
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