普莱恩维尤，纽约，2018年11月8日(环球新闻社)——Veeco仪器公司．(纳斯达克:VECO)同分异构的半导体GmbH是一家今天宣布完成了他们的另一个阶段的共同努力，为行业提供领先的GaN-on-Silicon薄片技术，用于微led生产。两家公司最近的合作目的是在为许多全球知名消费电子公司生产薄层晶片时，展示ALLOS的200毫米GaN-on-Si薄层技术在Veeco的Propel®MOCVD反应器上的可重复性。
“要将微led技术投入生产，仅仅为单个指标提供冠军值是不够的。Veeco化合物半导体事业部高级副总裁兼总经理Peo Hansson博士说:“实现每个晶圆的整套规格，以优异的可重复性和产量是至关重要的。“这次成功的合作再次肯定了Veeco卓越的MOCVD专业技术与ALLOS的GaN-on-Silicon薄膜技术相结合的力量，为客户提供一种新颖、可靠的方法，加速微led的采用。”
分拣和分拣是传统led实现波长一致性的标准方法。但微led太小，数量太多，无法分类和分类;因此，外延沉积的均匀性更为关键。将微led显示屏的承诺变成大规模生产的现实，最重要的成功因素是实现极好的发射波长均匀性，这就无需测试和分类单个微led芯片。根据应用和传质方法的不同，该行业的目标要求是在+/-1 nm和+/-4 nm (min/max)的薄层上。通过这个合作项目，Veeco和ALLOS进一步提高了临界波长的均匀性，最佳晶圆的标准偏差仅为0.85 nm，代表了行业首次在生产系统上。
Veeco和ALLOS验证了晶圆对晶圆的再现性，所有晶圆的平均波长标准偏差为1.21 nm，峰值波长在+/- 0.5 nm范围内。有了这些结果，我们向外晶片的+/-1纳米bin目标又迈进了一大步，”ALLOS首席执行官Burkhard Slischka说。“我们的技术已经适用于200毫米直径的晶圆，这使得微led芯片生产可以使用低成本和高产量的硅线。此外，我们有一个明确的路线图来实现300毫米。”
显示技术的革新者们正聚焦于微led，将其作为下一个重大的技术变革。根据研究公司的调查Yole开发署到2025年，微led显示屏的市场可能达到3.3亿台。这种乐观是由微型led技术(小于100微米的边缘长度)的前景推动的，它被认为是实现更低功耗的最终显示的关键因素。然而，由于材料成本高，微led传质技术的产率和通量低，阻碍了这种显示器的发展。随着Veeco和ALLOS继续与客户合作，进一步改进GaN-on-Si薄膜和微led传质技术，这一联合技术努力有效地解决了这些挑战。
Veeco和ALLOS将在氮化半导体国际研讨会(IWN2018年11月12日，日本金泽。
关于Veeco
维视(纳斯达克股票代码:VECO)是一家领先的创新半导体工艺设备制造商。我们经过验证的MOCVD、光刻、激光退火、离子束和单片蚀刻和清洁技术在生产用于固态照明和显示的led以及先进半导体器件的制造中发挥着不可或缺的作用。由于Veeco的设备设计能够最大限度地提高性能、产量和拥有成本，因此Veeco在所有这些服务市场都处于技术领先地位。vwin官方网站欲了解更多维视创新设备和服务，请访问www.theljp.com．
关于紧密相联的半导体
ALLOS是一家知识产权许可和技术工程公司，帮助全球半导体行业的客户掌握GaN-on-Si技术并发挥其效vw德赢手机客户端益。ALLOS正在为其技术诀窍和专利提供许可证，并将技术转让给客户的MOCVD反应器。此外，ALLOS还为下一代GaN-on-Si开发挑战提供客户特定的解决方案和咨询服务。www.allos-semiconductors.com
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