新闻| 2018年11月8日
2018年11月8日消息——Veeco Instruments Inc.(纳斯达克代码:VECO)和ALLOS Semiconductors GmbH今天宣布完成了另一阶段的共同努力，为业界提供领先的GaN-on-Silicon epiwafer技术，用于微led生产。两家公司最近合作的目的是在为许多著名的全球消费电子公司生产epiwafer时，证明ALLOS的200 mm GaN-on-Si epiwafer技术在Veeco的Propel®MOCVD反应器上的可重复性。
“要将microLED技术投入生产，仅仅为单个指标提供冠军值是不够的。Veeco复合半导体事业部高级副总裁兼总经理Peo Hansson博士说:“实现每片晶圆的整套规格，具有出色的可重复性和良率是至关重要的。”“这一成功的合作再次证明了Veeco卓越的MOCVD专业技术与ALLOS的GaN-on-Silicon epiwafer技术相结合的力量，为客户提供了一种新颖、可靠的方法，以加速microLED的采用。”
分类和分箱是实现传统led波长一致性的标准方法。但是微型led太小，数量太多，无法分类和分类;因此，外延沉积的均匀性更加关键。将微型led显示屏的前景变为大规模生产现实的最重要的成功因素是实现极好的发射波长均匀性，这就消除了测试和分类单个微型led芯片的需要。根据应用和传质方法的不同，行业的目标要求在+/-1纳米和+/-4纳米之间。通过这个合作项目，Veeco和ALLOS进一步提高了关键波长的均匀性，最佳晶圆的标准偏差仅为0.85 nm，代表了行业在生产系统上的首创。
Veeco和ALLOS验证了晶圆间的再现性，所有晶圆的平均波长标准偏差为1.21 nm，峰值波长在+/- 0.5 nm范围内。ALLOS首席执行官Burkhard Slischka说:“有了这些结果，我们在epiwafer上的+/-1 nm bin目标上又取得了重大飞跃。”“我们的技术已经可以在200毫米直径的晶圆上使用，这使得低成本和高产量的硅线可以用于microLED芯片的生产。此外，我们有一个明确的路线图来实现300mm。”
显示技术的革新者们都将microLED作为下一个重要的技术转变。根据研究公司Yole Développement的数据，到2025年，微型led显示屏的市场规模可能达到3.3亿台。microLED技术(边缘长度低于100微米)的前景推动了这种乐观情绪，该技术被认为是实现低功耗终极显示的关键因素。然而，microLED传质技术的高材料成本和低产量和吞吐量阻碍了这种显示器的发展。这项联合技术努力有效地解决了这些挑战，Veeco和ALLOS继续与客户合作，进一步改进GaN-on-Si外延晶圆和microLED传质技术。
Veeco和ALLOS将于2018年11月12日在日本金泽举行的氮化物半导体国际研讨会(IWN)上展示他们突破性成就的细节。
关于Veeco
Veeco (NASDAQ: VECO)是一家领先的创新半导体工艺设备制造商。我们成熟的MOCVD，光刻，激光退火，离子束和单片蚀刻和清洁技术在生产用于固态照明和显示器的led以及先进半导体器件的制造中发挥着不可或缺的作用。Veeco的设备旨在最大限度地提高性能、产量和拥有成本，在所有这些服务市场中保持技术领先地位。vwin官方网站欲了解更多Veeco的创新设备和服务，请访问www.theljp.com．
关于ALLOS半导体
ALLOS是一家知识产权许可和技术工程公司，帮助全球半导体行业的客户掌握GaN-on-Si技术并释放其优vw德赢手机客户端势。ALLOS正在为其技术诀窍和专利提供许可，并将该技术转让给客户的MOCVD反应堆。此外，ALLOS还为客户提供针对下一代GaN-on-Si开发挑战的特定解决方案以及咨询服务。www.allos-semiconductors.com
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