由于ALD化学反应的自限性，可以在最具挑战性的3D纳米结构中实现前所未有的厚度构象。结果，ALD已成为首选的技术，可以将各种薄膜沉积以填充腔和沟渠，获得纳米线和纳米管，共形涂层高纵横比纳米置换物和高表面积纳米颗粒。如今，ALD用于所有固态锂离子电池（LIB）的最新应用中，用于高表面积框架以进行水分割。以下是剑桥纳米技术ALD工具中使用ALD合成的许多高质量纳米结构的许多已发表示例的简短选择。
3D腔的SEM横截面涂有共形Al2O3 / TiO2（ATO）纳米层压板ALD膜。由L. Francis的O. Poncelet提供。de louvain - 沉积在fiji®系统中。
带有SIO2 / FE3O4 / SIO2的磁铁纳米管沉积在10-30µm深的AAO纳米板中。使用3DMASI，FECP2，ozone.pitzschel，K。等。ACS Nano 3，3463–3468（2009）。
使用Fe2O3 / ITO / SIO2 ALD膜进行光氧化水的高表面积的制造和透明框架，该膜沉积在逆蛋白石caffoldriha，S。C. Acs Appl Mater Inter 5，360-367（2013）。
ALD沉积在AAO结构中的固体电解质Li5.1TaoZ。在Expo模式下存放在Savannah®中，最高470：1纵横比。
Liu，J。等，J。Phys。化学C 117，20260–20267（2013）
电化学活性LifePo4 ALD膜沉积在锂离子电池阴极的碳纳米管上。在300°C的博览会模式下沉积在Savannah®系统中。
Liu，J。等。ADV。垫。（2014）。
doi：10.1002/adma.201401805
ALD沉积在硅沟中的Quaternary Cu2ZNSNS4。CZST是光伏应用的潜在低成本半导体。带有H2S套件的Expo模式下存放在Savannah®中。
Thimsen，E。等。化学母校24，3188–3196（2012）。
Ultrathin FEPO4作为LMNO颗粒上的电化学活性屏障，以防止电解质氧化。在世博模式下存放在Savannah®中。
Xiao，B。等。ADV。科学。（2015）。
doi：10.1002/advs.201500022
染料敏化太阳能电池（DSSC）的AAO模板和TIO2纳米管中的TIO2
Gao，X。J Power Sounce（2013）。
doi：10.1016/j.jpowsour.2013.04.037
Tio2-Zno Coresheath复合结构，用于增强DSSC。1.3nm厚的ZnO层由ALD沉积在Fiji®F200系统中。
Ulusoy，T。G.，J。Mater。化学A2，16867–16876（2014）。
纳米图案的顺序浸润合成（SIS），高宽高比金属氧化物结构。Alox浸润在95°C的Savannah®中完成了SU8。
Nam，C.-Y.J Vac Sci Technol B 33，06F201–8（2015）。
尼龙6,6纳米纤维的Aln沉积在fiji®ALD系统中。
Haider，A。等。apl mater。2，096109–9（2014）。
去除AAO模板后铂纳米管阵列电极。由ALD存入fiji®F200的PT。
Galbiati，S。Electrochimica Acta 125，107–116（2014）。
单晶Znal2O4尖晶石纳米管在Expo模式下沉积在Savannah®中。
Jin Fan，《自然材料》 5，627–631（2006）。
ZnO-Al2O3 Coreshell纳米线合成了Fiji®ALD系统。
Thomas，J Vac Sci Technol A 30，（2012年）。
用Al2O3/ZRO2纳米氨基酸盐的单细胞光子纳米腔探针以防止氧化
Shambat，G。等。单细胞光子纳米腔探针。Nano Lett 130206113907001（2013）。
doi：10.1021/nl304602d