WaferstorM湿加工平台

Waferstorm平台是在先进的包装，MEMS，RF，数据存储和光子学市场中提供许多关键基于溶剂的过程的行业选择。vwin官方网站有2个版本 - 手动负载（ml）和3300系列平台。ML系统非常适合研发和试点环境。3300系列平台是该行业的大批量工作马。

3300系列架构非常灵活，因为用户可以根据吞吐量要求使用最多8个腔室。此外，该系统能够处理多个晶片尺寸和晶片类型，硬件修改最小。最后，处理室可以垂直堆叠，导致极低的系统占地面积。

系统架构

高批量平台 - 3300系列

• 1 - 10室模块化系统
• 低足迹堆积的腔室
• 船上化学供应
• 多个晶片尺寸 - 50至300mm
• 多种衬底类型 - Si，Liao3，蓝宝石，玻璃

用于R＆D - ml的手动装载平台

• 单室 - 手动负载

Waferstorm 3300系列平台手动负载平台

溶剂应用

金属剥离

• 金属升空（MLO）是化合物半导体和RF市场的关键过程，其中不能容易地蚀刻金属而不损坏下面的基材。vwin官方网站WAFERSTOM系统具有IMMETMET技术，是全球金属剥离的市场份额领导者。Immjet技术是批量浸没和单晶片喷雾处理的组合。浸渍步骤使用加热的溶剂搅拌。在通过浸渍软化之后，将晶片转移到单晶片喷射站，在那里它们暴露于高压风扇喷雾器，其具有加热溶剂，可快速去除厚膜残余物。该组合可确保卓越的工艺性能，同时保持最低的COO与湿式台面和单晶片解决方案。

光致抗蚀剂/干膜条

• 具有IMMETMET技术的Waferstorm系统为光致抗蚀剂带和干膜带应用提供了卓越的工艺性能和低的所有权成本。特别是，当抗蚀剂厚且难以去除时，组合的浸没和高压喷雾确保了材料去除。此外，专有过滤技术能够降低停机时间和高生产率。

助焊剂清洁

• 在先进的包装中，助焊剂清洁对于晶片凸块和关节形成过程至关重要，因为它除去焊料材料留下的氧化物层和其他杂质，以确保下一个组装步骤的清洁金属界面。将液体助熔剂递送至凸起的表面，并且必须使用额外的清洁步骤去除留下的残基。由于凹凸节点变得更精细，除去助焊剂残留物变得更具挑战性。Waferstorm平台上的Veeco的专有浸泡和喷涂技术特别适用于甚至最紧密的间距去除助焊剂残留物。

洗涤器

• Veeco PSP的单侧和双面单侧晶片清洁技术可实现许多应用的高效粒子去除。Veeco的专利双面PVA刷系统清洁顶部，底部和侧表面。额外的单面PVA刷擦洗技术以及高速喷雾（HVS）和MEGASONICS，可用于所有晶片尺寸的最有效的清洁结果。

TSV清洁

• TSV CLEAN是一个关键的过程步骤，这对可靠性至关重要。深反应离子蚀刻（DRIE）工艺在聚合物残留物后面留下，其可以导致屏障，种子和填充步骤中的缺陷和空隙。具有Immjet技术的Waferstorm依赖于浸没和高压喷涂工艺的连续组合，以除去高纵横比孔中的残留物，湿凳或仅喷雾工具留下。