Veeco的Propel™MOCVD系统设计为早期研发的灵活平台，氮化物应用的小生产需求。反应器能够在各种基板上处理9×2“，3×4”，1×6“和1×8”，例如硅，蓝宝石和碳化硅，而无需运行之间的任何硬件修改。系统沉积高质量的GaN用于多种应用的电影，如电源，RF和Photonics等。R200反应堆基于Veeco的领先TurboDisc®设计，包括ISoFlange™和Symmheat™技术，可在整个晶片上提供层流和均匀的温度曲线。客户可以轻松从Veeco D180，K465I™或MaxBright™系统转移到Propel GaN MoCVD平台的过程。

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