凝固膜和凹的热唇液源

专为III组材料蒸发而设计


从VEECO的HotLipSumo®源具有大容量坩埚的MBE过程,获得了极好的通量均匀性,可忽略不计的快门通量瞬变,并最大程度地减少了长期耗竭效应。该源旨在提高效率和减少热负载,并提供增强的材料质量,低缺陷计数以及整个基材的厚度均匀性。

  • 获得专利设计,现场超过1150
  • 增加容量
  • 非常稳定的操作
  • 低背景杂质
  • 出色的通量均匀性
  • PBN坩埚结构优化材料质量

MBE的SUMO来源是III组蒸发的最佳源技术。相扑设计具有针对独特形状坩埚的双丝丝加热器。使用镀凝剂和凹陷,源以热唇模式运行,以消除坩埚孔口处的材料再粘稠,从而减少了椭圆形缺陷。加热盖可提高源的效率,并最大程度地减少系统上的热负载。SUMO源提供了出色的通量稳定性和均匀性,并显着增加了电荷能力。

独特的专利坩埚特征:

  • 用于大电荷容量的圆柱形储层,并最大程度地减少了长期耗竭效应
  • 一个小锥形孔,用于最佳通量分布和可以忽略的快门磁通瞬变
  • 出口锥,以极佳的通量均匀性,并具有最小的浪费材料
  • PBN构造最佳材料质量

SUMO源可用于任何MBE系统优化。对于某些系统,Sumo坩埚具有不对称的孔口和偏移出口锥体,以重定向梁通量,以增强旋转基板的厚度均匀性。由于较宽的出口锥,不对称的相扑在坩埚唇部不使用单独的热屏蔽帽。

性能和好处

SUMO来源提供了最大的可用组收费容量,而无需牺牲材料质量或源绩效。全世界的设施表现出优异的材料质量,整个基板的厚度均匀。

好处包括:

  • 大电荷容量。与其他供应商的原始第三组来源相比,GA或收费的容量可能会增加一倍。SUMO源大小是指可以加载的实际源材料的实际量取决于系统几何形状和源端口位置。例如,4500G SUMO源可以装有4500克甘油或5500G IDIUM。
  • 良好的统一性。SUMO来源的设计旨在满足或超过大多数具有最初建议来源的MBE系统中达到的厚度均匀性(±1%)。
  • 长期通量稳定性。Sumo Crucible具有独特的形状,可以最大程度地减少锥形坩埚通常看到的长期耗竭效应。Sumo来源提供了恒定的熔体表面,以进行更一致和可重现的日常操作。恒定梁通量保持较小且频繁的温度变化较小。
  • 低缺陷密度。带有双丝源的热唇加热可确保坩埚孔比熔体温度足够温暖,以防止凝固膜和凹液的形成。测量的缺陷密度用于与Sumo降低快门相关的通量瞬变生长的材料。熔化的表面凹陷在相扑坩埚的小孔后面,避免了大多数反射的辐射。从封闭的百叶窗反射回的热量是由PBN坩埚扩散的,而不会引起常规开放式坩埚通常看到的快门通量瞬变。
  • 优质的材料质量。PBN坩埚结构和小坩埚孔,再加上有效的双丝丝加热,可减少周围系统上的热载荷,并导致生长层中的背景杂质降低。

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