达到大容量，出色的助焊剂均匀性，可忽略不计的百分子通量瞬变，以及veeco的向下寻常的Sumo®源的最小耗尽效果。它结合了双丝源，其具有不对称的SUMO坩埚，具有狭窄的偏移孔和具有热唇加热的锥形出口锥。结果：优异的材料质量，低缺陷计数，厚度均匀性好。注意：此源不适用于铝。

• 专利设计，该领域拥有超过75个
• 在向下的港口容纳熔融电荷材料
• 优异的助焊剂稳定性和均匀性
• PBN坩埚施工优化了材料质量

Veeco向下寻找的Sumo源是双丝源，具有不对称的SUMO坩埚，独特地设计用于容纳在向下的源端口中的熔融电荷。窄孔偏移以含有熔体，而锥形出口锥提供优异的助焊剂均匀性。这种新型坩埚形状仅适用于Veeco的专利Sumo技术。

出口锥区域的热唇加热可防止电荷回忆并最大限度地减少与III组相关的椭圆形缺陷。基础加热器灯丝的这种设计和位置被定制为坩埚中的电荷材料的非均匀分布，以获得最佳的通量稳定性。该来源不适用于铝。

表现和福利

向下寻常的源端口使用户能够扩展MBE系统上可用的III源的总数，并使用向下的查看源端口。冗余源增加最常用的材料的总充电容量，并允许通过使用单独的源供个每个所需的通量来快速切换不同的磁通量。向下的Sumo Source还为浅层向上的端口中提供了增加的熔融源材料的充电容量。例如，在Gen III系统上的浅向上看的端口中的175G向下看起来的Sumo源具有425g镓的容量，而标准的400g Sumo的容量将在同一端口中具有49g。

出口锥设计确保了与系统原始III族来源实现的助焊剂均匀性。在Mod Gen II系统中的2“晶圆上已经证明了标准1％的均匀性。