利用腐蚀性串的渗透型裂解器的卓越磁通控制，可以实现与常规的热量控制源不可能的复杂结构。混合组V层的不同组合物可以生长使用标准来源时必需的频繁重新校准程序。连续梯度GaAs1-XSBX层的SIMS分析演示了使用两组V瓣裂缝饼干时可用的优异的助焊剂控制，并在两种不同的生长速率下实现了相同的结果。

• 专利的全PBN坩埚和阀门机构，阀门超过175个
• 只有验证的锑源才能获得验证的结果
• 利用喷嘴，用于出色的助焊剂均匀性和减少的材料废物
• 高度可重复的机械磁通控制
• 大收费能力
• 允许在破裂或未包装的模式下操作
• 与SB，TE，CD，CDTE，Zn和Mg兼容

专利的Veeco腐蚀系列阀门饼干是当今市场上可用的唯一可获得的All-PBN阀门源。这种创新技术为无功的高蒸气压力材料（如锑和碲）不兼容，不兼容传统阀门的金属坩埚和阀门。源设计利用完整的阀组件，坩埚和电导管，该坩埚和电导管由热解氮化硼（PBN）构成，以保护它们免受腐蚀。

阀门组件可拆卸，允许通过电导管容易地装载大容量坩埚。将坩埚加热以产生束通磁通。气流通过PBN阀调节，提供快速的通量稳定，快速关闭和优异的再现性。在裂化区中，分子通量可以热裂化至较小的分子或原子物种。如果需要，源也可以以取消粘合模式操作。

随着最近的增强功能，Mark V腐蚀系列阀瓣裂纹包括喷嘴，提供出色的助焊剂均匀性和降低的材料废物。材料利用率的改善导致：

• 物质节省成本
• 更长的活动
• 更短的系统清洁时间
• 危险废物较少
• 减少内存效果
• 降低颗粒水平和剥落
• 减少系统窗涂层