在成功的Beta测试后，在半导体中选择行业的第一个单晶片簇平台
Plainview，N.Y.，
2018年4月10日（Globe Newswire） -
Veeco Instruments Inc.（纳斯达克：Veco）今天宣布，在半导体（纳斯达克：开）上订购了它的推动力®大批量制造（HVM）氮化镓（GaN）金属有机化学气相沉积（MOCVD）系统。基于其成功的Beta评估Propel HVM工具，在半导体上订购了GaN电力电子制造的生产级推进系统。作为行业的第一个单晶圆集群平台，Propel GaN MOCVD系统专为数据中心中使用的高压电源管理设备而设计;汽车，信息和通信技术;防御;航空航天和配电系统，以及其他应用。
“我们先前使用Veeco的K465i™GaN MOCVD系统推动我们调查我们的生产坡道的Propel HVM平台，”公司研发高级总监Marnix Tack表示，并在半导体开放创新。“测试结果表明，具有高均匀性和晶圆内和晶圆到晶圆可重复性的优越的设备性能，同时满足我们的六个和八英寸晶圆的所有权目标。因此，Propel HVM系统被证明是我们电力电子制造需求的最合适的平台。“
Propel HVM平台基于Veeco的创新单晶片系统，具有专有的IsoFlange™和SymmHeat™技术，可在整个晶片上提供均匀的层流和均匀的温度曲线。该系统可实现电力电子，激光二极管，RF器件和高级LED的生产，具有更高的性能和生产率，同时确保了非常低的所有权。
“Propel HVM平台在业界迅速获得牵引力，因为半导体等创新公司识别甘砂的益处，这将部分取代电力电子技术的当前硅技术，”高级副总裁博士“Veeco MoCVD运营总经理。“凭借其高度控制的掺杂，运行稳定性，卓越的晶圆均匀性，高生产率和正常运行时间，Propel HVM延长了我们的好处Turbodisc.®平台到独特的单晶片架构。这些功能使寻求卓越的制造解决方案的客户，同时提供缩放到八英寸晶圆和扩展到RF等先进应用的路径。“
GaN是一种宽带隙半导体材料，具有优于常规技术的特定优点，例如砷化镓（GaAs）和碳化硅（SiC）。由于其在热行为，效率，体重和尺寸方面，短期内的短期内具有巨大潜力。根据市场研究公司的艾尔·塞瓦洛·塞洛，甘电器设备业务值得
1400万美元2016年，它将达到的项目
4.6亿美元到2022年，复合年增长率（CAGR）为79％。GaN基设备将在RF放大器，LED和高压应用中越来越多地使用，主要是由于它们在高频，功率密度和温度下操作的能力，具有提高的效率和线性。
Veeco正在讨论其创新的MOCVD和湿蚀刻系统在“5G：我们在哪里以及下一步？”跟踪
CS国际会议本周在比利时布鲁塞尔。Mocvd Marketing高级总监Joshi Somit Joshi展出了一个题为“启用GaN RF和
电力电子产品通过创新的MOCVD和湿蚀刻工艺技术，“
星期三，4月11日，Veeco团队也将接受CS行业2018年创新奖对于在会议期间举行的颁奖典礼上的Genxcel™研发系统。
关于半导体
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关于Veeco.
Veeco（纳斯达克：Veco）是一家创新半导体工艺设备的领先制造商。我们经过验证的MOCVD，光刻，激光退火，离子束和单晶片蚀刻和清洁技术在生产用于固态照明和显示器的LED方面以及高级半导体器件的制造中起作用的积分作用。凭借旨在最大限度地提高业绩，产量和所有权成本的设备，Veeco在所有这些送达市场中占据了技术领导职位。vwin官方网站了解有关Veeco的创新设备和服务，请访问www.theljp.com.。
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Veeco Instruments Inc.