剑桥大学选择Veeco MOCVD系统用于电力电子和LED开发

剑桥大学选择Veeco MOCVD系统用于电力电子和LED开发

产品新闻| 2015年4月20日

Veeco仪器公司(纳斯达克代码:VECO)今天宣布，世界上最受尊敬的研究型大学之一的剑桥大学已经订购了Veeco仪器动力氮化镓(GaN)金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统用于GaN-on-silicon (Si)电力电子和发光二极管(LED)的研究和开发。

该系统将由世界著名的教授科林·汉弗莱斯爵士(Sir Colin Humphreys)领导，安装在位于英国剑桥的剑桥氮化镓中心。自2000年以来，Humphreys教授对用于LED开发的InGaN量子阱进行了广泛的研究。硅上镓技术被认为是一种潜在的节省成本的蓝宝石上镓技术的替代方案。

剑桥大学研究主任Colin Humphreys教授表示:“经过仔细考虑，我们得出的结论是Veeco的Propel MOCVD系统比其他系统具有明显的优势，可以提高和扩展我们的GaN-on-silicon研发能力。”氮化镓是继硅之后最重要的电力电子和led半导体材料。该平台能够在清洁、稳定、低颗粒缺陷的工艺环境中生长高性能器件结构。”

根据IHS Research的数据，从2014年到2020年，GaN电力电子设备市场预计将以超过90%的复合年增长率增长，因为新设备被应用到电源、消费电子、汽车和其他应用领域。

Veeco MOCVD运营高级副总裁Jim Jenson表示:“推动powerergan单晶圆系统能够开发高效的gan基电力电子设备，我们相信这将加速行业从研发到大批量生产的过渡。”他说:“自推出新系统以来，我们的动力动力系统因其卓越的表现而迅速获得关注。我们非常高兴我们的技术能够被这样一所位于GaN-on-silicon发展前沿的著名大学认可和采用。”

Veeco推进动力GaN单片反应MOCVD系统

Veeco的新型propulsion Power GaN MOCVD系统是专门为电力电子行业设计的。该系统采用200毫米单晶圆反应器平台，能够处理6英寸和8英寸晶圆，沉积高质量的GaN薄膜，用于生产高效率的电力电子器件。该单晶圆反应器基于Veeco领先的TurboDisc®设计，具有突破性技术，包括新的IsoFlange™和SymmHeat™技术，可在整个晶圆上提供均匀的层流和均匀的温度分布。客户可以轻松地将工艺从Veeco K465i™和MaxBright®系统转移到propulsion Power GaN MOCVD平台。

关于剑桥氮化镓中心

剑桥氮化镓研究中心位于剑桥大学材料科学与冶金系。他们是世界上少数几个在近距离和同一地点拥有氮化镓生长设备、广泛先进的电子显微镜表征设施、先进的x射线衍射表征设施、原子力显微镜、光致发光(PL)测量光学性能、霍尔效应设备测量电学性能和基本理论以了解详细物理性能的地方之一。研究团队正在蓬勃发展，因为他们进入了令人兴奋的基于GaN的新研究领域。欲了解更多，请访问http://www.gan.msm.cam.ac.uk/

关于Veeco

Veeco的工艺设备解决方案使led、柔性OLED显示器、电力电子、复合半导体、硬盘驱动器、半导体、MEMS和无线芯片的制造成为可能。我们是MOCVD, MBE，离子束，湿刻蚀单片加工和其他先进薄膜工艺技术的市场领导者。我们的高性能系统推动了能源效率、消费电子产品和网络存储方面的创新，使我们的客户能够最大限度地提高生产力，并实现更低的拥有成本。有关我们公司、产品和全球服务和支持的信息，请访vw德赢手机客户端问www.theljp.com．

就本新闻稿讨论预期或以其他方式对未来作出的声明而言，这些声明是前瞻性的，并受到许多风险和不确定性的影响，这些风险和不确定性可能导致实际结果与所作的声明存在重大差异。这些因素包括Veeco截止2014年12月31日的10-K表格年度报告中的业务描述和管理讨论和分析部分中讨论的风险，以及我们后续的10-Q表格季度报告、8-K表格当前报告和新闻稿中讨论的风险。Veeco不承担更新任何前瞻性陈述以反映该等陈述日期之后的未来事件或情况的任何义务。

来源:Veeco Instruments Inc.。