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Veeco离子束沉积技术达到高度的里程碑,以支持EUV商业化路线图

2014年9月16日

Plainview,N.Y.- (商业资讯) - Veeco Instruments Inc.(纳斯达克:veco)今天宣布其新的Odyssey™离子束沉积(IBD)为Nexus®IBD-LDD™系统升级已经反复产生光掩模坯料,沉积缺陷大于70纳米。这代表了制造具有先进极端紫外(EUV)光刻的半导体器件的重要里程碑。

EUV掩模空白缺陷作为实际问题,无法修复并且可以使半导体器件无用。因此,面膜空白缺陷是高批量生产的关键障碍。Veeco的低缺陷Odyssey IBD Technology清除了用于半导体器件的进一步EUV制造进步的方式。

“EUV光刻带来了芯片制造商,与依赖于多种图案化步骤的制造方法相比,芯片制造商以较低的成本制造更高的性能设备,” 罗恩·库尔,EUV产品高级副总裁及服务营销 ASML。“由于ASML正在制定稳步前进,准备工业高批量制造的扫描仪和光源,因此EUV行业的准备情况,包括面膜空白,对我们的客户来说批评。Veeco对奥德赛升级计划的奉献,与客户,联盟和其他行业利益相关者协调,是EUV基础设施进步的典范。“

Veeco IBD技术在高薄膜质量下引导行业,具有极低的微粒沉积和精确控制单层或多层工艺的光学性能。无缺陷,高批量EUV制造需要这些技术功能。目前,所有领先的EUV面罩空白制造商使用Veeco Nexus IBD-LDD系统。

“Veeco致力于与客户和行业合作伙伴合作,推进EUV路线图,并增加无缺陷面具空白的输出,” 吉姆北方,Veeco高级副总裁和总经理高级沉积&蚀刻。“我们对奥德赛升级并在一个研发网站中巩固了我们的光学涂层和离子束资源进行了重大投资,以确保我们行业领先的IBD技术的持续发展。”

关于EUV光掩模的离子束沉积系统

离子束沉积工具用于制造EUV面罩。掩模上的纳米尺度图案投影到半导体晶片上以限定芯片。单个面罩可用于在其寿命期间打印数百万芯片,需要严格的掩模缺陷控制。先进的技术EUV面罩用于定义具有较小几何形状的芯片,这导致越来越多的移动设备所需的功率和性能。

关于Veeco.

Veeco的工艺设备解决方案使得LED,柔性OLED显示器,电力电子,硬盘驱动器,MEMS和无线芯片制造。我们是MOCVD,MBE,离子梁等先进薄膜工艺技术的市场领导者。我们的高性能系统推动了能源效率,消费电子和网络存储的创新,并让我们的客户最大限度地提高了生产率并实现了更低的所有权成本。有关我们公司,产品和全球服务和支持的信息,请访vw德赢手机客户端问www.theljp.com.

在此新闻发布讨论期望或以其他方面发表对未来的陈述的范围内,此类陈述是前瞻性的,受到许多风险和不确定性的影响,可能导致实际结果与所做的陈述有所不同。这些因素包括商家描述和管理层讨论的风险,Veeco于截至年度10-K表格的年度报告的讨论和分析部分 2013年12月31日在我们随后的季度报告表格10-Q,目前关于表格8-K和新闻稿的报告。Veeco不承担更新任何前瞻性陈述以在此类陈述之后反映未来事件或情况的任何义务。

资源: Veeco Instruments Inc.

Veeco Instruments Inc.

投资者

Deb Wasser,516-677-0200 x1472

dwasser@veeco.com.

媒体

jeffrey pina,516-677-0200 x1222

jpina@veeco.com.

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类别: 新闻稿
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