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Epistar选择VEECO的K465I MOCVD系统开发LED硅晶片的LED系统

2012年2月6日

纽约州Plainview--(商业资讯) - 2月。2012年6月6日 - Veeco Instruments Inc.(NASDAQ:VECO)今天宣布,总部位于台湾的Epistar Corporation最近选择了K465iTM值turbodisc®氮化岩(GAN)金属有机化学蒸气沉积(MOCVD)系统,用于在硅底物上生长的光发射二极管(LED)。

Epistar总裁M. J. Jou博士评论说:“我们很高兴选择Veeco的K465i作为我们的Si-Si开发工具。当我们转向更大的晶圆尺寸时,我们对Gan-On-Si技术的潜力感到兴奋。我们感谢Veeco的大力支持,并期待这一合作。”

William J. Miller, Ph.D., Veeco’s Executive Vice President, Process Equipment, commented, “We are very pleased that Epistar has chosen the K465i, which provides low cost-of-ownership and production worthiness, for its GaN-on-Si LED development. Large diameter Si wafers offer tremendous promise as a low cost alternative to sapphire for volume production of lower cost LEDs.”

有关K465i的更多信息,请访问Veeco//www.theljp.com/products/mocvd.aspx

关于Epistar Corporation

Epistar Corporation位于台湾的基于Hsinchu科学的工业园区,生产了紧凑型尺寸,低功耗和长期运营寿命的高亮度LED。它们被广泛用于传真机,扫描仪照明,汽车内部和外部照明,LCD背光,室外/室内显示器,交通信号,各种消费电子设备的指示器以及最终用于一般照明的照明源。Epistar成功地将高亮度LED的全光谱范围推广。http://www.epistar.com.tw/about-e.htm

关于Veeco

Veeco为开发和制造LED,太阳能电池,硬盘驱动器和其他设备制造设备。我们通过美国,韩国,台湾,中国,新加坡,日本,欧洲和其他地点的产品开发,制造,销售和服务网站来为客户提供支持。请在www.theljp.com

在本新闻发布讨论期望或以其他方式发表有关未来的陈述的范围内,此类陈述是前瞻性的,并且会受到许多风险和不确定性的影响,这些风险可能导致实际结果与所做的陈述实质性差异。这些因素包括业务描述和管理层在截至2010年12月31日的年度10-K年度报告的讨论和分析部分中讨论的风险,以及我们随后关于表格10-Q表格的季度报告,有关表格8的当前报告-K和新闻发布。Deeco不承担任何义务更新任何前瞻性陈述,以反映此类陈述之日之后的未来事件或情况。

资料来源:Veeco Instruments Inc.

Veeco Instruments Inc.
金融:
黛布拉·瓦瑟(Debra Wasser)
高级副总裁投资者关系与企业传播
516-677-0200 X1472
或者
媒体:
弗兰·布伦森(Fran Brennen)
高级主任Marcom
516-677-0200 X1222

多媒体文件:

类别: 新闻发布
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